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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTDTU

FGA50N100BNTDTU - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FGA50N100BNTDTU
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FGA50N100BNTDTU PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7894 pcs
Referenzpreis
USD 3.3939/pcs
Unser Preis
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FGA50N100BNTDTU detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FGA50N100BNTDTU
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1000V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 100A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Leistung max 156W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 275nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 1.5µs
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket TO-3P
Gewicht -
Ursprungsland -

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