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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › FGA30T65SHD
FGA30T65SHD

FGA30T65SHD - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FGA30T65SHD
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 60A 238W TO-3PN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FGA30T65SHD PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1042 pcs
Referenzpreis
USD 3.84/pcs
Unser Preis
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FGA30T65SHD detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FGA30T65SHD
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 90A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Leistung max 238W
Energie wechseln 598µJ (on), 167µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 54.7nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 14.4ns/52.8ns
Testbedingung 400V, 30A, 6 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 31.8ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket TO-3PN
Gewicht -
Ursprungsland -

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