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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › FGA25N120ANTDTU_F109
FGA25N120ANTDTU_F109

FGA25N120ANTDTU_F109 - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer
FGA25N120ANTDTU_F109
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FGA25N120ANTDTU_F109 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
920 pcs
Referenzpreis
USD 3.08/pcs
Unser Preis
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FGA25N120ANTDTU_F109 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FGA25N120ANTDTU_F109
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 90A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.65V @ 15V, 50A
Leistung max 312W
Energie wechseln 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 200nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 50ns/190ns
Testbedingung 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 350ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket TO-3P
Gewicht -
Ursprungsland -

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