| Artikelnummer | FDC6561AN |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
| Leistung max | 700mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | SuperSOT™-6 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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