| Artikelnummer | FCP20N60FS |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3080pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 208W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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FCP20N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | Einzelheiten |
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FCP20N60FS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Einzelheiten |
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FCP20N60_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | Einzelheiten |
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FCP20N60_G | ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | Einzelheiten |
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FCP22N60N_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | FCP22N60N IN TO220 F102 T/F OPTI | Einzelheiten |
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FCP2416H124G | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416 | Einzelheiten |
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FCP2416H124G-D1 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | CAP FILM 0.12UF 2 50VDC 2416 | Einzelheiten |
