FCH072N60F - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	FCH072N60F
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	52A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	215nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8660pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	481W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	72 mOhm @ 26A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FCH023N65S3-F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 75A TO247	Einzelheiten
FCH023N65S3L4	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 75A TO247	Einzelheiten
FCH023N65S3_F155	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 75A TO247	Einzelheiten
FCH040N65S3-F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	Einzelheiten
FCH040N65S3_F155	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	Einzelheiten
FCH041N60E	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 77A TO-247	Einzelheiten
FCH041N60F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 76A TO247	Einzelheiten
FCH041N60F-F085	ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 76A TO247	Einzelheiten
FCH041N60F_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 76A TO247	Einzelheiten
FCH041N65EF-F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 76A TO247	Einzelheiten