BF199_J35Z detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
BF199_J35Z |
| Teilstatus |
Obsolete |
| Transistor-Typ |
NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
25V |
| Frequenz - Übergang |
1.1GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) |
- |
| Gewinnen |
- |
| Leistung max |
350mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
38 @ 7mA, 10V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
50mA |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Through Hole |
| Paket / Fall |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket |
TO-92-3 |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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