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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › XR46000ESETR
XR46000ESETR

XR46000ESETR - Exar Corporation

Artikelnummer
XR46000ESETR
Hersteller
Exar Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
XR46000ESETR PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
12500 pcs
Referenzpreis
USD 0.2347/pcs
Unser Preis
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XR46000ESETR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer XR46000ESETR
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 20W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 750mA, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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