EPC2101

EPC2101 - EPC

Artikelnummer
EPC2101
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
34487 pcs
Referenzpreis
USD 4.774/pcs
Unser Preis
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EPC2101 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2101
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.5A, 38A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Leistung max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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