EPC2029

EPC2029 - EPC

Artikelnummer
EPC2029
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC2029 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
EPC2029.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
10000 pcs
Referenzpreis
USD 4.3648/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern EPC2029

EPC2029 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2029
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 48A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 12mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1410pF @ 40V
Vgs (Max) +6V, -4V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 30A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR EPC2029