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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › EPC2014
EPC2014

EPC2014 - EPC

Artikelnummer
EPC2014
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC2014 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
EPC2014.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
65000 pcs
Referenzpreis
USD 0.9889/pcs
Unser Preis
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EPC2014 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2014
Teilstatus Last Time Buy
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 20V
Vgs (Max) +6V, -5V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 5A, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die Outline (5-Solder Bar)
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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