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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › ZXTS1000E6TA
ZXTS1000E6TA

ZXTS1000E6TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXTS1000E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXTS1000E6TA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4453 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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ZXTS1000E6TA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXTS1000E6TA
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ PNP + Diode (Isolated)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1.25A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 100mA, 1.25A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Leistung max 885mW
Frequenz - Übergang 220MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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