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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › ZXTN2011ZTA
ZXTN2011ZTA

ZXTN2011ZTA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXTN2011ZTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 100V 4.5A SOT89
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXTN2011ZTA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
15000 pcs
Referenzpreis
USD 0.4048/pcs
Unser Preis
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ZXTN2011ZTA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXTN2011ZTA
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 195mV @ 500mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V
Leistung max 2.1W
Frequenz - Übergang 130MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket SOT-89-3
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR ZXTN2011ZTA

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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