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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › ZXTN2010A
ZXTN2010A

ZXTN2010A - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXTN2010A
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXTN2010A PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
24157 pcs
Referenzpreis
USD 0.76/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern ZXTN2010A

ZXTN2010A detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXTN2010A
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 200mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 130MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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