ZXTN2010A detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
ZXTN2010A |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
4.5A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
60V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
210mV @ 200mA, 5A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
50nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 2A, 1V |
Leistung max |
1W |
Frequenz - Übergang |
130MHz |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Paket / Fall |
TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) |
Lieferantengerätepaket |
TO-92-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR ZXTN2010A