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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › ZXTN2007GTA
ZXTN2007GTA

ZXTN2007GTA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXTN2007GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 30V 7A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXTN2007GTA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
61842 pcs
Referenzpreis
USD 0.4125/pcs
Unser Preis
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ZXTN2007GTA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXTN2007GTA
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 7A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 300mA, 6.5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 1V
Leistung max 3W
Frequenz - Übergang 140MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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