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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › ZXTDA1M832TA
ZXTDA1M832TA

ZXTDA1M832TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXTDA1M832TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXTDA1M832TA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4270 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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ZXTDA1M832TA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXTDA1M832TA
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4.5A, 4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 15V, 12V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 120MHz, 110MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 8-MLP (3x2)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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