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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › ZXTC2063E6TA
ZXTC2063E6TA

ZXTC2063E6TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXTC2063E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXTC2063E6TA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.319/pcs
Unser Preis
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ZXTC2063E6TA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXTC2063E6TA
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3.5A, 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V
Leistung max 1.1W
Frequenz - Übergang 190MHz, 270MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Lieferantengerätepaket SOT-26
Gewicht -
Ursprungsland -

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