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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › ZXT13N50DE6TA
ZXT13N50DE6TA

ZXT13N50DE6TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXT13N50DE6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 50V 4A SOT23-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXT13N50DE6TA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
45000 pcs
Referenzpreis
USD 0.2871/pcs
Unser Preis
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Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern ZXT13N50DE6TA

ZXT13N50DE6TA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXT13N50DE6TA
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 400mA, 4A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1A, 2V
Leistung max 1.1W
Frequenz - Übergang 115MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6
Lieferantengerätepaket SOT-26
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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