ZXMP6A18DN8TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer	ZXMP6A18DN8TA
Teilstatus	Active
FET Typ	2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	3.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1580pF @ 30V
Leistung max	1.8W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOP
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
ZXMP6A13FQTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3	Einzelheiten
ZXMP6A13FTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3	Einzelheiten
ZXMP6A13G	ZETZX	ZXMP6A13G ZETZX SOT-22.. New Original Stocks	Einzelheiten
ZXMP6A13GQTA	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223	Einzelheiten
ZXMP6A13GTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223	Einzelheiten
ZXMP6A16DN8QTA	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC	Einzelheiten
ZXMP6A16DN8TA	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC	Einzelheiten
ZXMP6A16DN8TC	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC	Einzelheiten
ZXMP6A16GTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH SOT223	Einzelheiten
ZXMP6A16KTC	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V DPAK	Einzelheiten