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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › ZXM62P03E6TA
ZXM62P03E6TA

ZXM62P03E6TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXM62P03E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZXM62P03E6TA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
120000 pcs
Referenzpreis
USD 0.3168/pcs
Unser Preis
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ZXM62P03E6TA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXM62P03E6TA
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 625mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 1.6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-26
Paket / Fall SOT-23-6
Gewicht -
Ursprungsland -

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