ZXM62N03E6TA

ZXM62N03E6TA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZXM62N03E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3736 pcs
Referenzpreis
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ZXM62N03E6TA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZXM62N03E6TA
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 2.2A, 10V
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
Paket / Fall SOT-23-6
Gewicht -
Ursprungsland -

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