| Artikelnummer | ZXGD3005E6TA |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Tortyp | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Spannungsversorgung | 25V (Max) |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 10A, 10A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 48ns, 35ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-26 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Einzelheiten |
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ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Einzelheiten |
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ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Einzelheiten |
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ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Einzelheiten |
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ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Einzelheiten |
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ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Einzelheiten |
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ZXGD3005E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 | Einzelheiten |
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ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Einzelheiten |
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ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Einzelheiten |
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ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | Einzelheiten |
