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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › ZX5T849GTA
ZX5T849GTA

ZX5T849GTA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZX5T849GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 30V 7A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZX5T849GTA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
ZX5T849GTA.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
800 pcs
Referenzpreis
USD 0.97/pcs
Unser Preis
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ZX5T849GTA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZX5T849GTA
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 7A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 300mA, 6.5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 1V
Leistung max 3W
Frequenz - Übergang 140MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223
Gewicht -
Ursprungsland -

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