ZVP2106A - Diodes Incorporated

Artikelnummer	ZVP2106A
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	280mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 18V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	700mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-92-3
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
ZVP0120AS	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3	Einzelheiten
ZVP0120ASTOA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3	Einzelheiten
ZVP0120ASTOB	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3	Einzelheiten
ZVP0120ASTZ	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3	Einzelheiten
ZVP0545A	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3	Einzelheiten
ZVP0545ASTOA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3	Einzelheiten
ZVP0545ASTOB	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3	Einzelheiten
ZVP0545ASTZ	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3	Einzelheiten
ZVP0545GTA	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223	Einzelheiten
ZVP0545GTC	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223	Einzelheiten