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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › ZVN4206GTA
ZVN4206GTA

ZVN4206GTA - Diodes Incorporated

Artikelnummer
ZVN4206GTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
ZVN4206GTA PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
65000 pcs
Referenzpreis
USD 0.4455/pcs
Unser Preis
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ZVN4206GTA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer ZVN4206GTA
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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