| Artikelnummer | S3M-13-F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 3A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | SMC |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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S3M | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC | Einzelheiten |
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S3M M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3M R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3M V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3M V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3M-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC | Einzelheiten |
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S3M-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC | Einzelheiten |
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S3M-E3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3M-E3/9AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB | Einzelheiten |
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S3M-M3/57T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 3A 1000V DO-214AB | Einzelheiten |
