| Artikelnummer | S1J-13-F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 3µs |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AC, SMA |
| Lieferantengerätepaket | SMA |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
S1J | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | Einzelheiten |
 |
S1J M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Einzelheiten |
|
S1J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Einzelheiten |
|
S1J-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | Einzelheiten |
|
S1J-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 1A SMA | Einzelheiten |
 |
S1J-B/SS | ORIGINAL | S1J-B/SS ORIGINAL DO214A.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
S1J-E3/11T | VISHAY | S1J-E3/11T VISHAY DO214A New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
S1J-E3/51T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Einzelheiten |
|
S1J-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Einzelheiten |
|
S1J-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | Einzelheiten |
