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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › MMDT5401Q-7-F
MMDT5401Q-7-F

MMDT5401Q-7-F - Diodes Incorporated

Artikelnummer
MMDT5401Q-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MMDT5401Q-7-F PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1510552 pcs
Referenzpreis
USD 0.109/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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MMDT5401Q-7-F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MMDT5401Q-7-F
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 150V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang 300MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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