MMDT4146-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	MMDT4146-7
Teilstatus	Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ	NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	25V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 1V
Leistung max	200mW
Frequenz - Übergang	300MHz, 250MHz
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	SOT-363
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MMDT1036	EXSHINE	Mini size of Discrete semiconductor elements	Einzelheiten
MMDT1037	EXSHINE	Mini size of Discrete semiconductor elements	Einzelheiten
MMDT1P434	SEMTECH_ELEC	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor	Einzelheiten
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MMDT221K	SEMTECH_ELEC	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor	Einzelheiten
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MMDT2222A	PANJIT	DUAL SURFACE MOUNT NPN TRANSISTORS	Einzelheiten
MMDT2222A-7	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Einzelheiten
MMDT2222A-7-F	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Einzelheiten
MMDT2222A-TP	Micro Commercial Co	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Einzelheiten