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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › MMDT4126-7-F
MMDT4126-7-F

MMDT4126-7-F - Diodes Incorporated

Artikelnummer
MMDT4126-7-F
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS 2PNP 25V 0.2A SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MMDT4126-7-F PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.066/pcs
Unser Preis
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MMDT4126-7-F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MMDT4126-7-F
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 25V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 1V
Leistung max 200mW
Frequenz - Übergang 250MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
Gewicht -
Ursprungsland -

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