MMDT2907A-7-F - Diodes Incorporated

Artikelnummer	MMDT2907A-7-F
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Leistung max	200mW
Frequenz - Übergang	200MHz
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket	SOT-363
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MMDT221F	SEMTECH_ELEC	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor	Einzelheiten
MMDT221K	SEMTECH_ELEC	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor	Einzelheiten
MMDT2222	EXSHINE	Mini size of Discrete semiconductor elements	Einzelheiten
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MMDT2222A-7	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Einzelheiten
MMDT2222A-7-F	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Einzelheiten
MMDT2222A-TP	Micro Commercial Co	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Einzelheiten
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MMDT2222A_1	DIODES	DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	Einzelheiten