MMDT2227M-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	MMDT2227M-7
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	40V, 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Leistung max	300mW
Frequenz - Übergang	300MHz, 200MHz
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-23-6
Lieferantengerätepaket	SOT-26
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MMDT1036	EXSHINE	Mini size of Discrete semiconductor elements	Einzelheiten
MMDT1037	EXSHINE	Mini size of Discrete semiconductor elements	Einzelheiten
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MMDT2222A	PANJIT	DUAL SURFACE MOUNT NPN TRANSISTORS	Einzelheiten
MMDT2222A-7	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Einzelheiten
MMDT2222A-7-F	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Einzelheiten
MMDT2222A-TP	Micro Commercial Co	TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363	Einzelheiten