DZT5551Q-13

DZT5551Q-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DZT5551Q-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 160V 600MA SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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DZT5551Q-13 PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
140458 pcs
Referenzpreis
USD 0.1918/pcs
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DZT5551Q-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DZT5551Q-13
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 600mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 160V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Leistung max 2W
Frequenz - Übergang 300MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223
Gewicht -
Ursprungsland -

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