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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › DXTN3C60PSQ-13
DXTN3C60PSQ-13

DXTN3C60PSQ-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DXTN3C60PSQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DXTN3C60PSQ-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
617360 pcs
Referenzpreis
USD 0.2667/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern DXTN3C60PSQ-13

DXTN3C60PSQ-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DXTN3C60PSQ-13
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 270mV @ 300mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Leistung max 5W
Frequenz - Übergang 140MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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