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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › DXTN07060BFG-7
DXTN07060BFG-7

DXTN07060BFG-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DXTN07060BFG-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DXTN07060BFG-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
700967 pcs
Referenzpreis
USD 0.23489/pcs
Unser Preis
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DXTN07060BFG-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DXTN07060BFG-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 300mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 2V
Leistung max 900mW
Frequenz - Übergang 175MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8
Gewicht -
Ursprungsland -

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