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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › DNLS412E-13
DNLS412E-13

DNLS412E-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DNLS412E-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 12V 4A SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DNLS412E-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
DNLS412E-13.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4381 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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DNLS412E-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DNLS412E-13
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 4A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 400 @ 3A, 2V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 150MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223
Gewicht -
Ursprungsland -

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