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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › DN350T05-7
DN350T05-7

DN350T05-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DN350T05-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DN350T05-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
15000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0792/pcs
Unser Preis
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DN350T05-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DN350T05-7
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 350V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V
Leistung max 300mW
Frequenz - Übergang 50MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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