DMTH8012LK3-13 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
DMTH8012LK3-13 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
80V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
34nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1949pF @ 40V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2.6W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
16 mOhm @ 12A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
TO-252 |
Paket / Fall |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR DMTH8012LK3-13