DMT3008LFDF-13

DMT3008LFDF-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMT3008LFDF-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
84540 pcs
Referenzpreis
USD 0.299/pcs
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DMT3008LFDF-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMT3008LFDF-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 886pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 800mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Gewicht -
Ursprungsland -

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