DMPH6050SPD-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMPH6050SPD-13
Teilstatus	Active
FET Typ	2 P-Channel
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	26A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1525pF @ 30V
Leistung max	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket	PowerDI5060-8
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMPH6023SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252	Einzelheiten
DMPH6023SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252	Einzelheiten
DMPH6050SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8	Einzelheiten
DMPH6050SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8	Einzelheiten
DMPH6050SK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 7.2A DPAK	Einzelheiten
DMPH6050SK3Q-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252	Einzelheiten
DMPH6050SPD-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	Einzelheiten
DMPH6050SPDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506	Einzelheiten
DMPH6050SSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8	Einzelheiten
DMPH6050SSDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8	Einzelheiten