DMP6110SVT-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMP6110SVT-13
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	7.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	17.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	969pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.2W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 4.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TSOT-26
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMP6101A	Crydom Co.	INPUT MODULE DC 34MA 5VDC	Einzelheiten
DMP6110SFDF-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-	Einzelheiten
DMP6110SFDF-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-	Einzelheiten
DMP6110SSD-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO	Einzelheiten
DMP6110SSDQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8	Einzelheiten
DMP6110SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 8SOIC	Einzelheiten
DMP6110SSSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET PCH 60V 8SO	Einzelheiten
DMP6110SVT-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V TSOT26	Einzelheiten
DMP6110SVT-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V TSOT26	Einzelheiten
DMP6110SVTQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V TSOT26	Einzelheiten