DMP6050SPS-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMP6050SPS-13
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2.163nF @ 30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.3W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerDI5060-8
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMP6023LE-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 7A SOT223	Einzelheiten
DMP6023LEQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V SOT223 TR	Einzelheiten
DMP6023LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333	Einzelheiten
DMP6023LFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 7.7A POWERDI3333	Einzelheiten
DMP6023LFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI	Einzelheiten
DMP6023LFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI	Einzelheiten
DMP6023LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO	Einzelheiten
DMP6050SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333	Einzelheiten
DMP6050SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 60V 4.8A	Einzelheiten
DMP6050SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFETP-CH 60VPOWERDI5060-8	Einzelheiten