DMP3007SCG-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMP3007SCG-13
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	64.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2826pF @ 15V
Vgs (Max)	±25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.4W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 11.5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	V-DFN3333-8
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMP3004SSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 25V-30V SO-8 TR 2	Einzelheiten
DMP3007LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V SO-8 TR 2.	Einzelheiten
DMP3007SCG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-	Einzelheiten
DMP3007SCG-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V V-DFN3333-	Einzelheiten
DMP3007SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333	Einzelheiten
DMP3007SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333	Einzelheiten
DMP3007SPS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506	Einzelheiten
DMP3008SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI	Einzelheiten
DMP3008SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI	Einzelheiten
DMP3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8	Einzelheiten