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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › DMNH4005SCTQ
DMNH4005SCTQ

DMNH4005SCTQ - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMNH4005SCTQ
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMNH4005SCTQ PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
9375 pcs
Referenzpreis
USD 2.0126/pcs
Unser Preis
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DMNH4005SCTQ detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMNH4005SCTQ
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2846pF @ 20V
Vgs (Max) 20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 165W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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