| Artikelnummer | DMNH4005SCTQ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2846pF @ 20V |
| Vgs (Max) | 20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 165W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T | Einzelheiten |
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DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | Einzelheiten |
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DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | Einzelheiten |
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DMNH10H028SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI | Einzelheiten |
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DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 | Einzelheiten |
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DMNH3010LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 15A TO252 | Einzelheiten |
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DMNH4005SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3 | Einzelheiten |
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DMNH4005SCTQ | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB | Einzelheiten |
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DMNH4005SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | Einzelheiten |
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DMNH4006SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 40V 18A TO252 | Einzelheiten |
