DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN63D1LW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
661192 pcs
Referenzpreis
USD 0.0411/pcs
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DMN63D1LW-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN63D1LW-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 380mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 310mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Gewicht -
Ursprungsland -

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