| Artikelnummer | DMN63D1LT-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 320mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 392nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 330mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-523 |
| Paket / Fall | SOT-523 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN600V | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
DMN600V-7 | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Einzelheiten |
 |
DMN6013LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Einzelheiten |
|
DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Einzelheiten |
|
DMN6013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Einzelheiten |
|
DMN6013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Einzelheiten |
|
DMN6017SFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | Einzelheiten |
 |
DMN6017SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 | Einzelheiten |
|
DMN601DMK | DIODES | DMN601DMK DIODES SOT163 New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
DMN601DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26 | Einzelheiten |
