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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › DMN61D8LQ-7
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN61D8LQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMN61D8LQ-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
148247 pcs
Referenzpreis
USD 0.1783/pcs
Unser Preis
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DMN61D8LQ-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN61D8LQ-7
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 470mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 3V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.74nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12.9pF @ 12V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 390mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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