| Artikelnummer | DMN6040SVTQ-13 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1287pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSOT-26 |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN600V | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Einzelheiten |
|
DMN600V-7 | DIODES | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | Einzelheiten |
 |
DMN6013LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Einzelheiten |
|
DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | Einzelheiten |
|
DMN6013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Einzelheiten |
|
DMN6013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI | Einzelheiten |
|
DMN6017SFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333 | Einzelheiten |
 |
DMN6017SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252 | Einzelheiten |
|
DMN601DMK | DIODES | DMN601DMK DIODES SOT163 New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
DMN601DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26 | Einzelheiten |
