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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › DMN3055LFDB-7
DMN3055LFDB-7

DMN3055LFDB-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN3055LFDB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMN3055LFDB-7 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
166210 pcs
Referenzpreis
USD 0.159/pcs
Unser Preis
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DMN3055LFDB-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN3055LFDB-7
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) -
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 458pF @ 15V
Leistung max -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6
Gewicht -
Ursprungsland -

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