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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › DMN3033LSDQ-13
DMN3033LSDQ-13

DMN3033LSDQ-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN3033LSDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMN3033LSDQ-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
101189 pcs
Referenzpreis
USD 0.2501/pcs
Unser Preis
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DMN3033LSDQ-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN3033LSDQ-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 725pF @ 15V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO
Gewicht -
Ursprungsland -

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